IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Komponen Elektronik Anyar

katrangan singkat:

Kirimi email kanggo kita Unduh Datessheet

Detail Produk

Tag produk

IPD042P03L3 G
Mode peningkatan saluran P Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK
Kulawarga Opti MOS™ Infineon sing inovatif kalebu MOSFET daya p-channel.Produk kasebut terus-terusan nyukupi syarat kualitas lan kinerja sing paling dhuwur ing spesifikasi utama kanggo desain sistem tenaga kayata resistensi negara lan karakteristik karakteristik.

Ringkesan Fitur
Mode paningkatan
Level logika
Avalanche dirating
Ngalih cepet
Dv/dt dirating
Pb-free timbal-plating
RoHS compliant, Halogen-free
Kualifikasi miturut AEC Q101
Aplikasi Potensial
Fungsi Manajemen Daya
Kontrol motor
Pangisi daya ing papan
DC-DC
Konsumen
Penerjemah tingkat logika
Driver gerbang MOSFET daya
Aplikasi ngoper liyane

Spesifikasi

Atribut Produk	Nilai Atribut
Produsen:	Infineon
Kategori produk:	MOSFET
RoHS:	Rincian
Teknologi:	Si
Gaya Pemasangan:	SMD/SMT
Paket / Case:	TO-252-3
Transistor Polaritas:	Saluran P
Jumlah Saluran:	1 Saluran
Vds - Tegangan Pecah Sumber Drain:	30 V
Id - Arus Saluran Terus-terusan:	70 A
Rds On - Ketahanan Sumber Saluran:	3,5mhm
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang:	2 V
Qg - Gate Charge:	175 nC
Suhu Operasi Minimal:	- 55 C
Suhu operasi maksimum:	+ 175 C
Pd - Dissipasi Daya:	150 W
Mode saluran:	Peningkatan
Jeneng dagang:	OptiMOS
Packaging:	Reel
Packaging:	Potong Tape
Packaging:	MouseReel
Merk:	Infineon Technologies
Konfigurasi:	Tunggal
Wektu musim gugur:	22 ns
Transkonduktansi Maju - Min:	65 S
Dhuwur:	2,3 mm
dawa:	6,5 mm
Tipe produk:	MOSFET
Wektu munggah:	167 ns
Seri:	OptiMOS P3
Jumlah Paket Pabrik:	2500
Subkategori:	MOSFET
Tipe Transistor:	1 Saluran P
Wektu Tundha Pateni Biasa:	89 ns
Wektu Tundha Aktifake Biasa:	21 ns
Jembar:	6,22 mm
Bagian # Alias:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Bobot Unit:	0,011640 oz