IPD068P03L3G anyar asli Komponen Elektronik IC chip MCU layanan BOM ing saham IPD068P03L3G
Atribut Produk
| JENIS | DESKRIPSI |
| Babagan | Produk Semikonduktor Diskrit |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Seri | OptiMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) Pita potong (CT) Digi-Reel® |
| Status produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran P |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Drain menyang Sumber Tegangan (Vdss) | 30 V |
| Arus – Saluran Terus (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | ± 20 V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| Fitur FET | - |
| Dissipasi Daya (Maks) | 100 W (Tc) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Gunung lumahing |
| Paket Supplier Piranti | PG-TO252-3 |
| Paket / Case | TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
| Nomer Produk Dasar | IPD068 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER DAYA | LINK |
| Lembar data | IPD068P03L3 G |
| Dokumen liyane sing gegandhengan | Pandhuan Nomer Part |
| Produk unggulan | Sistem Pengolahan Data |
| Lembar Data HTML | IPD068P03L3 G |
| Model EDA | IPD068P03L3GATMA1 dening Pustakawan Ultra |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
| ATRIBUTE | DESKRIPSI |
| Status RoHS | ROHS3 Compliant |
| Tingkat Sensitivitas Kelembapan (MSL) | 1 (Tanpa wates) |
| Status REACH | REACH Ora kena pengaruh |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber Daya Tambahan
| ATRIBUTE | DESKRIPSI |
| Jeneng Liyane | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| Paket Standar | 2.500 |
Transistor
Transistor yaiku apiranti semikonduktordigunakake kanggonggedhekakeutawangalihsinyal listrik landaya.Transistor minangka salah sawijining blok bangunan dhasar modernelektronik.[1]Iku kasusun sakabahan semikonduktor, biasane karo paling telungterminalkanggo sambungan menyang sirkuit elektronik.AvoltaseutawasaikiApplied kanggo siji pasangan terminal transistor kontrol saiki liwat pasangan liyane saka terminal.Amarga daya kontrol (output) bisa luwih dhuwur tinimbang daya kontrol (input), transistor bisa nggedhekake sinyal.Sawetara transistor dirangkep kanthi individu, nanging luwih akeh ditemokake ingsirkuit terpadu.
Austria-Hungaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldngusulake konsep atransistor efek lapanganing 1926, nanging iku ora bisa kanggo bener mbangun piranti digunakake ing wektu sing.[2]Piranti kerja pisanan sing dibangun yaiku atransistor titik-kontakdiciptakake ing taun 1947 dening fisikawan AmerikaJohn BardeenlanWalter Brattainnalika nggarap ingWilliam ShockleyingBell Labs.Telu nuduhake taun 1956Bebungah Nobel ing Fisikakanggo prestasine.[3]Jenis transistor sing paling akeh digunakake yaikutransistor efek medan metal-oksida-semikonduktor(MOSFET), kang nemokke deningMohamed AtallalanDawon Kahnging Bell Labs ing taun 1959.[4][5][6]Transistor ngrevolusi bidang elektronik, lan mbukak dalan sing luwih cilik lan luwih murahradio-radio,kalkulator, lankomputer, antarane liyane.
Umume transistor digawe saka murni bangetsilikon, lan sawetara sakagermanium, nanging sawetara bahan semikonduktor liyane kadhangkala digunakake.Transistor bisa uga duwe mung siji jinis operator pangisian daya, ing transistor efek medan, utawa bisa uga duwe rong jinis operator muatan ingtransistor bipolar junctionpiranti.Dibandhingake karotabung vakum, transistor umume luwih cilik lan mbutuhake daya kurang kanggo operate.Tabung vakum tartamtu duwe kaluwihan tinimbang transistor kanthi frekuensi operasi sing dhuwur banget utawa voltase operasi sing dhuwur.Akeh jinis transistor digawe kanggo spesifikasi standar dening macem-macem manufaktur.
