IRLML6402TRPBF Anyar lan asli Sirkuit terpadu chip ic IRLML6402TRPBF
Atribut Produk
| JENIS | DESKRIPSI |
| Babagan | Produk Semikonduktor Diskrit |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Seri | HEXFET® |
| Paket | Tape & Reel (TR) Pita potong (CT) Digi-Reel® |
| Status produk | Aktif |
| Tipe FET | Saluran P |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Drain menyang Sumber Tegangan (Vdss) | 20 V |
| Arus – Saluran Terus (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Vgs (Maks) | ± 12V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 633 pF @ 10 V |
| Fitur FET | - |
| Dissipasi Daya (Maks) | 1.3W (Ta) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Gunung lumahing |
| Paket Supplier Piranti | Micro3™/SOT-23 |
| Paket / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Nomer Produk Dasar | IRLML6402 |
Dokumen & Media
| JENIS SUMBER DAYA | LINK |
| Lembar data | IRLML6402PbF |
| Dokumen liyane sing gegandhengan | Pandhuan Nomer Part |
| Modul Training Produk | Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Penggerak Gerbang HVIC) |
| Sumber Daya Desain | Model Sabre IRLML6402TR |
| Produk unggulan | Sistem Pengolahan Data |
| Lembar Data HTML | IRLML6402PbF |
| Model EDA | IRLML6402TRPBF dening Ultra Librarian |
| Model Simulasi | Model Rempah-rempah IRLML6402TR |
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
| ATRIBUTE | DESKRIPSI |
| Status RoHS | ROHS3 Compliant |
| Tingkat Sensitivitas Kelembapan (MSL) | 1 (Tanpa wates) |
| Status REACH | REACH Ora kena pengaruh |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumber Daya Tambahan
| ATRIBUTE | DESKRIPSI |
| Jeneng Liyane | 2832-IRMLL6402TRPBF-TR *IRLML6402TRPBF IRLML6402PBFCT IRLML6402PBFDKR IRLML6402PBFTR SP001552740 |
| Paket Standar | 3.000 |
Transistor minangka piranti semikonduktor sing umum digunakake ing amplifier utawa saklar sing dikontrol sacara elektronik.Transistor minangka blok bangunan dhasar sing ngatur operasi komputer, ponsel, lan kabeh sirkuit elektronik modern liyane.
Amarga kecepatan respon sing cepet lan akurasi sing dhuwur, transistor bisa digunakake kanggo macem-macem fungsi digital lan analog, kalebu amplifikasi, switching, regulator voltase, modulasi sinyal lan osilator.Transistor bisa dikemas kanthi individu utawa ing area cilik sing bisa nampung 100 yuta utawa luwih transistor minangka bagéan saka sirkuit terpadu.
Dibandhingake karo tabung elektron, transistor nduweni akeh kaluwihan:
1.Komponèn wis ora konsumsi
Ora ketompo carane apik tabung kasebut, bakal mboko sithik amarga owah-owahan ing atom katoda lan bocor udara kronis.Kanggo alasan teknis, transistor duwe masalah sing padha nalika pisanan digawe.Kanthi kemajuan materi lan dandan ing pirang-pirang aspek, transistor biasane tahan 100 nganti 1.000 kaping luwih suwe tinimbang tabung elektronik.
2. Konsumsi daya sethithik banget
Iku mung siji sepuluh utawa sepuluh saka siji tabung elektron.Ora perlu panas filamen kanggo ngasilake elektron bebas kaya tabung elektron.Radio transistor mung mbutuhake sawetara baterei garing kanggo ngrungokake nem sasi saben taun, sing angel ditindakake kanggo radio tabung.
3. Ora perlu preheat
Kerja sanalika sampeyan nguripake.Contone, radio transistor mati sanalika diuripake, lan televisi transistor nyetel gambar sanalika diuripake.Peralatan tabung vakum ora bisa ditindakake.Sawise boot, ngenteni sawetara wektu kanggo krungu swara, ndeleng gambar.Cetha, ing militèr, pangukuran, rekaman, lan liya-liyane, transistor banget nguntungake.
4.Kuwat lan dipercaya
100 kaping luwih dipercaya saka tabung elektron, resistance kejut, resistance geter, kang incomparable kanggo tabung elektron.Kajaba iku, ukuran transistor mung siji-sepersepuluh kanggo siji- atus saka ukuran tabung elektron, release panas banget sethitik, bisa digunakake kanggo desain cilik, Komplek, sirkuit dipercaya.Senajan proses Manufaktur transistor pas, proses punika prasaja, kang kondusif kanggo nambah Kapadhetan instalasi saka komponen.
